本发明涉及一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法，属于铁电
功能材料领域。一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法，是将LaNiO
3前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜；所得产品干燥、热解，退火制得单层LaNiO
3薄膜；重复以上两个步骤，制得多层LaNiO
3复合基底；将Pb
0.99Nb
0.02(Zr
xSn
yTi
1‑x‑y)
0.98O
3前驱体溶液旋涂于所得的LaNiO
3复合基底上制得凝胶湿膜；将所得凝胶湿膜干燥、热解、退火制得单层Nb掺杂的PZST薄膜；重复以上两个步骤制得多层Nb掺杂的PZST薄膜。本发明的有益效果是：获得一种致密性好、平均晶粒尺寸小、高介电常数、电场击穿强度大、制冷温度较大等优点的反铁电薄膜；本发明制备方法相对简单，是一种高效低成本的制备技术。
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“通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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