本发明涉及一种新型白光LED器件的制备方法，包括以下步骤：制备AlN晶体材料；对AlN晶体材料进行切割、打磨和抛光，制成表面平整的AlN薄片；对制成的AlN薄片进行清洗，清洗后对其进行烘烤以除去表面的水气与溶剂残留物；在AlN薄片上图形化电极并蒸镀金属电极；最后再进行氮气氛下的退火处理，制成新型白光LED器件。本发明直接采用气相传输法制备的AlN晶体材料作为
功能材料，在晶体上制备电极后直接通电发光。该方法实现单一材料的白光输出，无需荧光粉的二次转换，因此器件结构更加简单紧凑，单晶状态的AlN功能层也能承载更大的功率密度。由于利用宽禁带半导体AlN材料禁带内的缺陷发光，使器件的发射光谱十分丰富，可覆盖整个可见光区域，且光色品质出色。
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来源：北方有色网
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