本发明属于电子
功能材料技术领域，涉及一种低介电损耗钛酸
铜钙薄膜的制备方法；具体步骤为：首先制备获得CCTO前驱体溶胶；然后清洗硅片，将硅片依次浸入NaOH溶液、去离子水中和无水乙醇中，超声振荡，烘干、冷却后备用；取前驱体溶胶的上层清液保温，在密闭环境中，将清洗后的硅片于CCTO前驱体溶胶中浸渍，匀速取出，置于马弗炉内干燥，形成一层均匀致密的CCTO薄膜，重复操作，直至镀完5层薄膜，得到非晶化CCTO薄膜；置于无水乙醇擦拭后的坩埚中，在空气气氛下进行退火处理，冷却得到CCTO薄膜；本发明方法操作简单，原料价格低廉、环保，制备方法简单且重复性高，介电性能优异，具有良好的应用价值。
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“低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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