In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜及其制备方法,该方法属于
功能材料领域。靶材是由高纯In2O3、Nb2O5和ZnO粉末混合固相烧结的陶瓷靶。将In、Nb共掺杂ZnO的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中,通过调节沉积工艺参数,利用脉冲激光沉积法在不同衬底上,制备出光电性能优良的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺,电子浓度可以可以通过调节靶材中的In、Nb含量控制;实现了多元金属阳离子在同一靶材上的同时掺杂;制备的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜具有优良的光电性能,电阻率为10-3-10-4Ω·cm,可见光平均透射率超过了87%。该方法所制备的透明导电薄膜在
太阳能电池和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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来源：北方有色网
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