本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2-xW3O12及其制备方法。其中1≤x≤1.2。属于无机非金属负热膨胀
功能材料领域，该负热膨胀ScxIn2-xW3O12陶瓷材料以Sc2O3、In2O3和WO3为原料，采用固相法制备，按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在950-1200℃烧结，制备得到的负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12陶瓷结构致密，在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如ScInW3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内，其线热膨胀系数为-5.97×10-6/K，热膨胀曲线近乎线性，无相变发生，热膨胀性能稳定，具有较好的负热膨胀性能，同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2-xW3O12的制备方法较为简单，制备周期短、成本低、环保无污染，因而具有较好的应用前景。
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来源：北方有色网
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