本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域,涉及一种氧化
锌材料发光二极管的制备方法。其特征是在不同的衬底材料表面上,采用超声雾化热分解方法,依次生长p-型和n-型Zn(Mg)O薄膜而制得ZnO基p-n结材料。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO基p-n结材料电学性能的控制,以满足制备
氧化锌基发光二极管(LEDs),激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。通过标准半导体工艺制备上下欧姆接触电极,即可获得氧化锌材料发光二极管。本发明的效果和益处在于提供一种工艺简单易行的制备氧化锌发光二极管(LEDs)的方法。氧化锌材料p-n结室温电注入发光的实现必将进一步促进ZnO光电信息
功能材料和器件的应用。
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来源：北方有色网
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