本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法,该设备包括:扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是:利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力,使用导电针尖作为纳米电极,并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域,在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是:利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极,可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像,像点间的信息具有很高的可比性,有助于对半导体光电
功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
声明：
“测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
967
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
