本发明涉及金和
镍掺杂单晶硅片式热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂,掺入N型单晶硅中,利用金和镍在N型单晶硅中的电补偿性质,制备出负温度系数热敏材料,然后在精密划片机上划片,
芯片两端制作电极,其电极采用镍、银两层结构,实现了硅晶体和电极之间的欧姆接触。所用硅热敏
功能材料以单晶硅半导体为基础,掺杂金和镍金属原子,形成深能级俘获中心,使材料产生热敏特性,经过严格控制掺杂原子在硅中的浓度及其分布,易于实现用氧化物陶瓷热敏材料难以实现的高B值低阻值元件,并提高热敏材料和元件的一致性、重复性、稳定性。
声明：
“金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1211
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
