本发明属于
功能材料领域，涉及一种Al、F共掺杂的ZnO基透 明导电薄膜及其制备方法。其特征是包括以下步骤：1)，首先制作 ZAFO靶材，利用AlF3、Al2O3和ZnO粉体，经过均匀混合后，分别 制成不同F含量的ZAFO靶材；ZAFO靶材中含有0.5～3.0wt％的 Al，0.82～3.28wt％的F，其余为ZnO；2)，将制作好的ZAFO靶材， 安装在射频磁控溅射沉积设备真空室内，用机械泵、分子泵把真空室 的真空度抽到压强小于3×10-3Pa，同时将基片温度加热到25℃～ 500℃；通过调节沉积工艺参数，采用射频磁控溅射在基片上制备 ZAFO透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺，改善了薄膜的导电性 和可见光透过率。
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“AL、F共掺杂ZNO基透明导电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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