本发明公开了二种采用模板法制备高比表面
碳化硅纳米管的方法，技术方案一，步骤如下：a.选用多孔
氧化铝作为模板浸入到氢甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中；b.将上述氧化
铝模板在马弗炉中50～600℃温度下放置1～10小时；c.用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前驱体；d.将上述前驱体置于高温管式炉中在惰性气体保护下以2～10℃/min的速度升温到1000～1700℃，然后恒温0.5～10小时得到碳化硅纳米管。技术方案二将技术方案一的步骤c、步骤d互换。本发明制备的碳化硅纳米管比表面积为3500－4500m2/g，可作为
半导体材料、
功能材料、光电器件具有广阔的应用前景。
声明：
“制备高比表面碳化硅纳米管的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1155
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
