钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法,涉及微电子材料领域,特别涉及应用于氧化物(氧化镁)-复合氧化物(钛酸锶)异质外延中纳米线及其表面周期结构的制备方法。本发明提供的方法制备得到的材料具有优越的电学、光学、力学和热学性质。本发明的方法为:在真空环境下,对钛酸锶单晶基片进行热处理然后以激光剥离氧化镁陶瓷靶材,产生的激光等离子体沉积在钛酸锶单晶基片上,制得氧化镁薄膜;同时监控沉积过程,在钛酸锶基片上形成有序表面周期结构的氧化镁纳米线后,停止沉积。本发明制得的具有序表面周期结构的氧化镁纳米线,将使氧化镁这种
功能材料在纳米尺度的范围内体现出有别于块材的特殊光、电、磁、化性质。
声明：
“钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1235
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
