本发明属于光电子
功能材料技术领域，具体为一种ZAO半导体纳米导电膜及其制备 方法。本发明在ZAO系透明导电膜上再沉积一层透明保护膜，使之能保证该复合膜具有 低电阻率、高可见光的透射率、高红外线的反射率、耐潮与不受环境因素的影响。为了连 续生长大面积ZAO系透明导电膜，专门设计了多靶卷绕式高真空溅射台。在高真空室内 需用冷却系统，使柔性基底的温度保持在60℃～150℃。电源使用不对称脉冲直流装置，可 使靶材表面在工作时不“中毒”，而电源的有用功率比常规电源高2倍多。溅射气体是高 纯Ar和O2，以保证膜的溅射沉积率较高以及有优良的薄膜光学和电学特性。
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“ZAO系半导体纳米导电膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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