本发明公开了一种高温相硼硅酸镧晶体的生长方法，高温相硼硅酸镧晶体为β‑La
1‑yLn
yBSiO
5晶体，其采用高温助熔剂法制备，所用复合助熔剂体系为：(La
1‑yLn
y)BO
3‑LiMoO
4‑SiO
2‑B
2O
3，体系中(La
1‑yLn
y)BO
3、LiMoO
4、SiO
2和B
2O
3的摩尔百分比分别为x
1、x
2、x
3、x
4，其中，0<x
1<0.3，0.7≤x
2<1，0<x
3<0.3，x
1+x
2+x
3＝1，x
1:x
4＝2:1～4:1。本发明解决了因相变导致β‑LaBSiO
5晶体生长困难的问题，该晶体在退火过程中不发生相变，在室温可稳定存在，是一种光
功能材料，在激光、太赫兹等领域有广泛用途。
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“高温相硼硅酸镧晶体的生长方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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