本发明公开了一种存储器的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极；在所述半导体衬底上淀积氧化物，形成位于所述半导体衬底上的氧阻挡层；在所述氧阻挡层上淀积金属材料，形成位于所述氧阻挡层上的前躯体；对所述前躯体表面进行移除处理，使得所述前躯体表面的自然氧化层被移除；对前躯体进行氧化处理，使得前躯体转换为
功能材料层；对功能材料层进行退火处理；在所述功能材料层上形成上电极；图形化上电极、功能材料层和氧阻挡层，形成存储器，该方法因对前躯体进行氧化处理时使用的氧化性气体被隔离在氧阻挡层之上，可以避免下电极被氧化，提高工艺的控制性，有利于提升存储器特性。
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来源：北方有色网
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