一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一
功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火、腐蚀，将相变材料层去除，形成相变材料层纳米线；光刻，形成水平对置电极层局域化的相变材料量子点；去除第二掩模层，淀积第二电热绝缘层；去除第三掩模层；淀积第三电热绝缘材料层；光刻出第四掩模层，腐蚀，薄膜淀积第二功能材料层，并剥离形成测试电极，完成器件制备。本发明具有工艺精度要求低、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低和经济高效的优点。
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来源：北方有色网
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