一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一
功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火、腐蚀，将相变材料层去除，形成相变材料层纳米线；光刻，形成水平对置电极层局域化的相变材料量子点；去除第二掩模层，淀积第二电热绝缘层；去除第三掩模层；淀积第三电热绝缘材料层；光刻出第四掩模层，腐蚀，薄膜淀积第二功能材料层，并剥离形成测试电极，完成器件制备。本发明具有工艺精度要求低、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低和经济高效的优点。
声明：
“基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
785
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
