本申请公开了一种
多晶硅半熔铸锭工艺，属于
光伏技术领域。该多晶硅半熔铸锭工艺包括下述步骤：1)装料阶段：将硅料装填入坩埚，转移坩埚至铸锭炉；2)加热、熔化阶段：关闭隔热笼，将铸锭炉抽至真空，加热、熔化硅料，在熔化阶段中后期逐步打开隔热笼至第一开度；3)长晶阶段：控制隔热笼的上升速度调整坩埚底部的温度控制长晶速度，结晶阶段的隔热笼的上升至少包括顺序调整的第一上升速率、第二上升速率和第三上升速率三个阶段；4)退火、冷却阶段即制得多晶硅锭。该工艺制备的多晶硅高效产出率高，多晶硅锭的长晶初期形成的底部的缺陷少。
声明：
“多晶硅半熔铸锭工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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