本申请公开了一种
多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用，属于
光伏技术领域。该多晶硅半熔铸锭用坩埚，包括坩埚本体和喷涂在坩埚本体内部表面的氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为1mm‑2mm。该坩埚可防止坩埚本体中的杂质渗入多晶硅铸锭中，并且不会在多晶硅铸锭过程中脱落而与坩埚本体粘连；该坩埚的制备工艺简单，坩埚表面的氮化硅层光滑；使用该坩埚制备多晶硅锭的良率高。
声明：
“多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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