本发明公开了一种可用于极高温度下的
碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的
氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。
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来源：北方有色网
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