本发明公开了一种片状硅粒子整流二极管的生产方法，包括下述步骤：步骤一：选取N-型111面
芯片进行扩散工序制得PN结芯片；步骤二：把所述PN结芯片制作成为片状GPP芯片；步骤三：把所述片状GPP芯片封装制造成片状硅粒子整流二极管。本发明所述片状硅粒子整流二极管的生产方法不会产生尖端电场区域，从而不会产生尖峰电场使得芯片被击穿，从而对芯片起到了一定的保护作用，并提高了芯片的有效载流面积和耐受电流强度。
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来源：北方有色网
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