一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设 备的坩埚中，将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里，使微球 形衬底位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不低于 5.0×10-3Pa，衬底温度为室温～300℃；调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，调节 三维沉积装置，使筛网反弹盘以0.125Hz～1Hz的频率作间歇式振动，束流值控制在 80mA～140mA，镀膜时间为5h-100h。此方法可制备出球形衬底的微球碳化硼薄膜， 薄膜结构因工艺不同有多晶和非晶两种状态，所制备的碳化硼薄膜表面光滑、均匀性良 好。
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来源：北方有色网
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