本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种PIM器件及其制造方法，包括覆
铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件；三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管
芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片；三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片；制动单元包括二极管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip铜片、clip发射极铜片和clip控制极铜片。本技术方案的PIM器件结构小巧、使用方便，将该PIM器件运用于相关电路中，可简化电路结构，基于PIM器件采用的clip工艺，PIM器件性能稳定，进一步使得使用该PIM器件的电路安全可靠。
声明：
“PIM器件及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1245
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
