本发明涉及一种真空反应烧结高韧性
碳化硅陶瓷的方法，其特征在于采用颗粒级配原料组成外加1～1.5％木质素磺酸钙结合剂先混和，然后与水混合配料、注浆成型、真空烧结最终制得SiC陶瓷，所制备的SiC材料的断裂韧性KIC可以在5～5.6MPa·m1/2范围内可调，相对于普通SiC-B-C或SiC-A/N无压烧结的KIC＝3.0～4.5MPa·m1/2，提高了5％之多，适用于高温工业炉的使用，具有良好的商业价值。
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来源：北方有色网
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