本发明属于材料加工技术领域，具体涉及一种超高纯、等轴细晶
铝靶材的制备方法。本发明的制备方法，采用真空熔铸和锻轧结合，在真空感应熔炼炉内对纯度在99.9999％以上的高纯
铝锭进行重熔成型，在室温下以冷轧和热处理的方法，制备出半导体
芯片用超高纯、等轴细晶铝溅射靶材。所述的制备方法通过对
高纯铝锭进行重熔进一步降低高纯铝锭的晶粒尺寸至1mm以下，大大简化后期塑性变形工艺，提高成材效率，降低生产成本，最终得到的超高纯、等轴细晶铝靶材其晶粒大小均一，且保持在100μm以下。
声明：
“超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1242
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
