本发明属于材料加工技术领域，具体涉及一种超高纯、等轴细晶
铝靶材的制备方法。本发明的制备方法，采用真空熔铸和锻轧结合，在真空感应熔炼炉内对纯度在99.9999％以上的高纯
铝锭进行重熔成型，在室温下以冷轧和热处理的方法，制备出半导体
芯片用超高纯、等轴细晶铝溅射靶材。所述的制备方法通过对
高纯铝锭进行重熔进一步降低高纯铝锭的晶粒尺寸至1mm以下，大大简化后期塑性变形工艺，提高成材效率，降低生产成本，最终得到的超高纯、等轴细晶铝靶材其晶粒大小均一，且保持在100μm以下。
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来源：北方有色网
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