本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的
太阳能电池，包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极，所述阳极采用GaN基材料，所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层，其中AlN缓冲层生长在衬底层上；n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层，在阳极内部形成一个内建电场，增大了电子在阳极内部的输运速率，提高了电子收集能力，抑制阳极材料的噪声电流，实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。
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“基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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