本发明公开了一种用于半导体封装的固晶材料制备方法包括以下步骤：步骤A、将
石墨烯进行氧等离子处理，得到具有含氧官能团的石墨烯PTG；步骤B、配制PTG与醋酸
铜的混合溶液，得到混合溶液A；步骤C、将混合溶液A加热得到干燥混合物B；步骤D、将干燥混合物B放入真空退火炉内，并加热分解得到PTG/铜纳米颗粒；步骤E、将PTG/铜纳米颗粒添加到纳米铜粉和有机溶剂中，得到混合物C；步骤F、将混合物C放入烧结炉内烧结得到固晶材料。本申请的固晶材料在封装前预先通过高温使石墨烯与铜之间形成化学键，在与
芯片和基板封装时，只需使混合物C与芯片和基板发生冶金结合即可，满足了第三代半导体封装对固晶材料高热导率、低温封装、高温服役的要求。
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“用于半导体封装的固晶材料制备方法及芯片封装方式” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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