本实用新型属于用物理冶金技术提纯
多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的设备,设备由真空盖及真空炉壁构成真空设备,真空设备的内腔即为真空室;真空室底部固定安装熔炼支撑底座,熔炼支撑底座上安装有套环,熔炼支撑底座内安装有水冷升降托盘,周围套环一侧开有导流口,导流口下方安装有拉锭机构,在真空室的上部安装电子枪,电子枪束流对准水冷升降托盘上方。本实用新型设备结构简单,直接使用大块硅料作为原料以及周围的套环形成浅熔池,综合电子束浅熔池熔炼和定向凝固去除硅中的杂质磷和金属。减少了能量的损失,提高了生产效率,去除效果良好,集成了除磷和除金属的双重效果,适合大规模工业化生产。
声明：
“电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1018
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
