元器件(10)可包括：具有第一表面(21)和远离第一表面的第二表面(22)的基板(20)，沿一方向在第一表面与第二表面之间延伸的开口(30)，及在开口内延伸的导电通路(40)。基板(20)可具有小于10ppm/℃的热膨胀系数。导电通路(40)可包括复数个基体颗粒(50)，每个基体颗粒都包括第一金属的第一区域(51)，该第一区域基本由不同于第一金属的第二金属层(52)所覆盖。基体颗粒(50)可冶金接合在一起，且颗粒的第二金属层(52)可至少部分地扩散至第一区域(51)内，导电通路(40)可包括散布在已接合基体颗粒(50)之间的空穴(60)。空穴(60)可占据导电通路(40)的10%或更多的容积。
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“应用导电颗粒的低应力TSV设计” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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