本发明涉及原子堆积理论压力烧结制备SiC/石墨强化Cu‑基合金
复合材料的方法，在制作工艺上通过选择晶体结构建模，使得
粉末冶金法下的成型更加致密。本发明采用面心立方填隙，适用于两种强化相不同粉末烧结成型。通过调控强化相与基体间的尺寸比例，提高了强化材料与基体合金之间的结合力。摩擦时避免了解理开裂与强化相聚集导致的不稳定因素，极大地提高了耐磨材料的使用效率。
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“原子堆积理论压力烧结制备SiC/石墨强化Cu-基合金复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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