本发明涉及热电材料领域的中温用Ga2Te3基热电半导体及制备方法。其设计要点在于该热电材料的化学式为(Ga2Te3)(CdTe)x,其中x=0.1～0.4。其制备方法是将单质元素Ga、Cd、Te置于真空石英管内,经950～1150℃合成20~28小时后,将(Ga2Te3)(CdTe)x铸锭随炉冷却至700～900℃后立即在水中淬火,淬火后的(Ga2Te3)(CdTe)x铸锭经粉碎、球磨,再经放电等离子火花烧结(SPS)制成块体,烧结温度为350～550℃,烧结压力40～60Mpa。烧结后的块体材料在真空石英管内退火2500～3000小时,退火温度300～400℃。本发明采用常规的
粉末冶金法制备,工艺简单,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
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来源：北方有色网
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