本发明公开一种用于制造太阳能级硅的生产工艺，步骤如下：选择纯度在98～99.5％以上的冶金级金属硅，硼元素含量＜50ppm，磷元素含量＜100ppm；高温液态萃取硅液中的硼、磷；硅液凝固；破碎研磨；表面浸蚀；水洗干燥；高温等离子除硼；高温真空精炼去磷、
铝和钙；单向凝固；后处理。本发明获得的
多晶硅锭，硼＜0.06ppm，磷＜0.01ppm，总金属含量＜0.01ppm，电阻率＞1.0Ω·cm，直接切片用于制造
太阳能电池片，可以获得15％以上的光电转换效率；直拉单晶后切片用于制造太阳能
电池片，可以获得16％以上的光电转换效率；经过区域熔融法拉单晶后切片用于制造太阳能电池片，可以获得17％以上的光电转换效率。
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来源：北方有色网
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