一种粉粒在冷等离子体中的纯化,采用冷等离子体提纯粉体材料,包括半导体和陶瓷粉料。此技术主要用于晶粒和粉粒尺寸在50μm至150μm的硅由纯度为99%提高到99.99%,是我们所发现的冷等离子体“冶金效应”的具体应用。本发明采用立式反应室结构以增加粉粒行程;采用气体反吹和有效抽气速率(KS)的调节使粉粒下降速度减小又达到收集的目的;应用振动抛撒防止粉粒成团;反应气体分配器使气体均匀上吹。这些措施使提纯速率提高,沉降时间加长,一次沉降所去除的杂质量增加,当放电功率为1000W,每小时能将400克、纯度为99%的硅粉提纯至99.99%。
声明：
“粉粒在冷等离子体中的纯化” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
767
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
