本发明公开了一种高温真空预处理制备太阳能级
多晶硅的方法,首先将冶金硅破碎后磨成粉,用乙醇浸出表面的油层;然后在AR气保护下进行1000-1300℃的高温处理;之后在0.1MPA-1MPA的真空环境下进行150℃以上的中温处理。将经过高温与真空两步预处理后的硅粉用浓度为0.35MOL/L的HF酸浸泡,并在浸泡的过程中用磁力搅拌;将浸泡后的硅粉用去离子水清洗,并放在真空箱中干燥。操作方便、无污染、成本较低廉,可以得到准太阳能级多晶硅、太阳能级多晶或电子级多晶硅。
声明：
“高温真空预处理制备太阳能级多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1099
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
