本发明公开了一种制造
太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将待处理的单晶硅片在900～950℃氮气气氛下进行退火处理20～30分钟;(2)将上述处理后的硅片在850～1050℃氯化氢气氛下进行氧化处理,使其表面生成厚度为10至30纳米的氧化层;(3)再在850～900℃下通源磷扩散,使得表面方块电阻控制在40～50欧姆,结深0.2～1.0微米;(4)最后在700～750℃氮气气氛下退火处理30～60分钟,完成单晶硅片的磷扩散处理。本发明可以采用纯度为4、5N的单晶硅作为制造太阳能电池的材料,因而,可以利用冶金硅等纯度较低的材料,极大地降低了材料成本,有利于单晶硅太阳能电池的普及应用。
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来源：北方有色网
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