本发明涉及一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法。其特点是，包括如下步骤：（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s。经过试用证明，采用本发明的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净，降低硅片的报废比例30%以上。
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来源：北方有色网
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