本发明公开了一种采用
粉末冶金的硅真空固态提纯方法，包括：1)将粉状的硅料压铸成块状，放入真空炉或不适宜放置粉料的设备中，抽真空，加热到500～1400℃，并保温5～25小时；2)冷却至室温后，将硅料取出，破碎、酸洗，得到提纯的硅。本发明可以避免在抽真空过程中造成硅料的损失以及硅粉对炉内和真空系统的污染，影响真空熔炼设备的寿命，而且通过采用粘结剂，有助于硅中杂质的分离，达到提纯的目的。
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“采用粉末冶金的硅真空固态提纯方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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