本发明提供一种冶金
多晶硅片磷吸杂方法、由所述方法制成的硅片以及由所述硅片制成的
太阳能电池。所述方法包括：腐蚀去除冶金多晶硅片表面损伤层；漂洗硅片并甩干；将硅片置于扩散炉中进行磷吸杂热处理，扩散磷源流量为650~700ml/min，干氧流量为500~700ml/min，扩散温度为920~970℃，扩散时间为30~45min，然后冷却硅片；腐蚀去除硅片表面由于磷扩散形成的吸杂层和PN结；漂洗硅片并甩干，得到磷吸杂后的冶金多晶硅片。所述硅片少子寿命明显提高，由所述硅片制成的太阳能电池的反向漏电流和光衰减明显降低，本发明方法磷吸杂处理扩散时间短，从而生产周期缩短、能耗降低，适于工业化生产。
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“冶金多晶硅片磷吸杂方法及该法制成的硅片和太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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