本发明公开一种冶金硅中杂质硼的去除方法,包括以下步骤:将冶金硅粉,放在酸中浸泡6小时～48小时酸洗,再清洗、烘干;经酸洗、清洗、烘过的硅粉放入反应器中加热到300℃～700℃,然后通入氧化性气体进行氧化反应,反应时间为6小时～72小时;经加热氧化过的硅粉,放入水或者酸中浸泡1小时～6小时,再清洗干净;浸泡、清洗后的硅粉,在100℃～300℃温度下进行烘烤,烘烤时间为6小时～24小时。采用本发明冶金硅的提纯工艺,由于在较低的温度下完成提纯,操作更加容易简单,同时降低了提纯成本,这样就为后道工序提供优质原料,以满足低成本生产太阳能级
多晶硅的需要。
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来源：北方有色网
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