本发明涉及物理冶金级硅
太阳能电池制造过程中的扩散工艺，尤其是一种能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺。其特点是，包括如下步骤：（1）低温进舟、初步升温；（2）通源扩散；（3）恒温推进；（4）降温、退舟。本发明的有益效果是：1.采用喷淋式扩散可节省磷源，同时提高扩散结深的均匀性，并且适合做高方阻；2.针对物理冶金硅的特性，采用双面磷吸杂，增强吸杂效果，提升硅片少子寿命；3.通过温度与时间的协调，有效改善扩散工艺；4.控制通氧与通源量的比例，减少由于直接扩散引起的缺陷，改善PN结结深，也可改善表面钝化效果，提高短路电流与开路电压，进而提升冶金硅太阳能电池转换效率及成品率。
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“能提升冶金级硅片少子寿命的扩散工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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