本发明涉及一种专门设计用于制造
太阳能电池的硅,其中,杂质的总含量为100-400ppm,硼含量为0.5-3ppm,磷/硼之比为1-3,金属元素的含量为30-300ppm。本发明也涉及一种由氧气或氯气精炼的、含有低于500ppm金属元素的冶金硅制备这种硅的方法,而且,该方法包括:在装备有热坩埚的电炉中,中性气氛下,将所述精炼硅重新熔化;在装备有热坩埚的电炉中移动硅熔体,以便进行等离子体精炼;采用一种混合气体作为等离子体形成气体进行等离子体精炼,所述混合气体包含氩以及至少一种选自于氯、氟、HCl和HF的气体;在铸锭模中,可控气氛下进行铸造,铸造期间,发生偏析凝固。
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“高纯度冶金硅及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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