本发明公开了一种去除
多晶硅中硼、磷等杂质的方法，包括以下步骤：以工业硅为原料，用有机溶剂清洗；将硅块破碎后，用碱性溶液浸泡；用300-1000℃的氧气或含氧气的气体氧化；加入王水中搅拌处理；加入到氟化氢和氯化氢的混合水溶液中搅拌处理后分离即得。本发明提供的方法为后续工艺提供了优质原料，满足了生产低成本太阳能级多晶硅的需要，针对性强、流程简单、投资低、环境友好、操作安全、除杂效果明显。
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“去除多晶硅中杂质的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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