本发明涉及一种钛硅物料制备太阳能级
多晶硅的方法，属于钛硅物料高效资源综合利用技术领域。将钛硅物料中的碳脱除至0.1wt.%～2wt.%进行预处理过程；将经预处理的钛硅物料，采用真空蒸馏精炼除杂工艺除去易挥发的杂质；然后电磁定向凝固分离，获得3～4N高纯硅和杂质较高的钛硅合金；将得到的3～4N高纯硅加入合金化金属，得到合金化后的高纯硅；将得到的合金化后的高纯硅酸浸，获得5～6N的UMG‑Si颗粒；将得到的5～6N的UMG‑Si颗粒，采用真空蒸馏精炼除杂工艺除去易挥发的杂质；然后电磁定向凝固分离，获得6N的太阳能级多晶硅。本发明以钛硅物料为原料，结合现有的硅合金化提纯、湿法浸出、定向凝固等技术，制备出太阳能级多晶硅。
声明：
“钛硅物料制备太阳能级多晶硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1123
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
