本发明提供一种硅的提纯方法,步骤包括将原料硅与
铝及金属添加剂混合得混合物,混合物加热熔融,于1350～1750℃保持0.5～20小时,后降温到500～650℃析出硅,得提纯硅;其中,原料硅与铝的质量比为1∶0.4～1∶5,金属添加剂为钛和/或钒。能有效去除原料硅中的杂质硼,硼的去除率高达99%以上,且杂质硼含量越高,硼的去除率越高,去除效率强,能有效降低原料硅中硼含量。而且能降低其他杂质的含量,使原料硅的纯度达到4～5N,为冶金法制备太阳能级
多晶硅提供低成本、高性能的原料。而且本发明的硅的提纯方法能耗小,成本少,与等离子体除硼相比,能耗降低80%,成本降低60%,且设备简单、投资少。
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来源：北方有色网
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