本发明主要公开了一种太阳能级
多晶硅的制备方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1‑6mol/l的盐酸、浓度为0.5‑6mol/l的硝酸和浓度为1‑5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430‑1500℃，真空度为90000‑1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10‑2‑10‑5Pa，温度1430‑1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω.cm，以满足
太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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来源：北方有色网
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