本发明涉及一种制备太阳能级
多晶硅的方法,采用冶金级硅作为原料,经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料,硅粉物料分别用浓度为1-6mol/l的盐酸、浓度为0.5-6mol/l的硝酸和浓度为1-5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理,酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理,真空精炼分两阶段,第一阶段为真空氧化精炼,控制炉内温度为1430-1500℃,真空度为90000-1000Pa,第二阶段,即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段,控制炉子真空度10-2-10-5Pa,温度1430-1500℃,最后经定向凝固及切头处理,获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999%以上,比电阻超过0.4Ω·cm,以满足
太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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来源：北方有色网
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