冶金法制备太阳能级
多晶硅的方法及该方法制备的多晶硅,涉及一种多晶硅的制备方法及用该方法制备的多晶硅。本发明的目的是为了解决现有冶金法制备太阳能级多晶硅其纯度不够高的问题。本发明主要通过氧化造渣,加入造渣剂,把硅熔体中的杂质氧化后上浮于硅熔体的上层,然后再继续给熔体一个自下而上的冷凝梯度,使硅熔体与炉渣更好的分离,同时真空定向凝固有利于杂质的进一步去除。然后把硅锭破碎,将聚集在晶界处的杂质,利用氢氟酸进一步去除得到太阳能级硅。本发明与传统化学法相比,能耗大大降低,生产周期缩短、适合工业化生产。整个生产过程中无污染,酸浸过程的废料可通过简单的中和后排出。本发明可将冶金硅提纯到太阳能级硅。
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来源：北方有色网
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