本发明公开了一种掺
锡冶金
多晶硅铸锭的制备方法。该制备方法包括：选择合适的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比为1:0.5～1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中掺入微量锡，锡的含量为1～200ppmw，然后在保护气氛下，生长掺锡的冶金多晶硅铸锭。本发明方法简单，制备的掺锡冶金多晶硅铸锭少子寿命比未掺锡的冶金多晶硅铸锭少子寿命显著提高，也比相同条件下用化学法原生多晶硅制备的常规P型和化学法原生多晶硅掺锡P型多晶硅铸锭工艺简化，成本降低。掺锡冶金多晶硅铸锭生产方法与常规铸锭工艺兼容，成本低，实用性强，适用于制造低成本，高质量的多晶硅太阳电池。
声明：
“掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1206
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
