本发明公开了一种利用PLD制备Al掺杂Hf
0.5Zr
0.5O
2铁电薄膜电容器的方法，属于导电材料技术领域。本发明所述方法通过使用脉冲激光沉积方法沉积薄膜，控制激光能量密度、衬底温度、氧分压、沉积时间等研究Al掺杂Hf
0.5Zr
0.5O
2铁电薄膜的生长工艺与特性，并最终得到TiN/Al‑Hf
0.5Zr
0.5O
2/TiN/Pt/Ti/SiO
2/Si的MIM结构电容器。本发明制备的铁电薄膜，与现有技术的
钙钛矿结构的铁电薄膜相比，具有与CMOS器件的兼容性好、可集成性高、铁电层厚度尺寸小、热稳定性好和化学稳定性高的特点，经过高温快速退火处理工艺后的薄膜，具有介电常数大、剩余极化强度大、漏电流小的优点。
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来源：北方有色网
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