陕西西安有色金属理论与应用

难熔金属表面原位反应自生高温扩散障及其制备方法 1209     

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本发明公开了一种难熔金属表面原位反应自生高温扩散障，该原位反应自生高温扩散障位于难熔金属与涂覆在难熔金属表面的熔烧硅化物高温防护涂层之间，以SiC为主相；本发明还公开了一种难熔金属表面原位反应自生高温扩散障的制备方法，该方法将石墨烯浆料或氧化石墨烯浆料、硅化物复合悬浮浆料依次预置在经预处理后的难熔金属基体的表面，经熔烧得到原位反应自生高温扩散障。本发明的高温扩散障降低了高温防护涂层与难熔金属基体之间的高温互扩散速率，保证了高温防护涂层的高温抗氧化性能并延长其高温服役寿命；本发明通过原位反应自生制备高温扩散障，改善了界面相容性，使难熔金属‑扩散障‑高温防护涂层具有良好的抗热循环和抗热震性能。

有效可控的具有多极孔结构的骨架的制备方法 1071     

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本发明公开了一种有效可控的具有多极孔结构的骨架的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1，将初始钨粉采用火焰喷涂还原，制备球形聚集体钨粉；步骤2，将经步骤1制备的球形聚集体钨粉采用放电等离子体烧结技术制备多极孔结构的钨骨架；本发明提供的制备方法，解决了熔渗烧结法制备铜钨合金过程中，多极孔结构的钨骨架制备问题。

激光熔覆制备改性复合Hf-Ta金属涂层的方法 936     

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本发明公开了一种激光熔覆制备改性复合Hf-Ta金属涂层的方法，该方法为：一、将难熔金属打磨处理后酸洗，然后依次进行喷砂处理和脱脂处理；二、将混合粉末与分散剂置于球磨机中球磨混合均匀，得到改性复合Hf-Ta料浆；三、将改性复合Hf-Ta料浆预置于难熔金属表面，烘干后在难熔金属表面得到预置层，然后进行预烧结处理，在难熔金属表面得到预烧结层；四、对所述预烧结层进行激光熔覆，在难熔金属表面得到厚度为30μm～800μm的改性复合Hf-Ta金属涂层。本发明制备得到的改性复合Hf-Ta金属涂层能够显著提高难熔金属在超高温、低氧压环境中的抗氧化能力，可为难熔金属在超高温氧化环境或烧蚀环境中提供短时防护。

基于高分子聚合物增材制造的多孔植入物的制备方法 1015     

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本发明提供一种基于高分子聚合物增材制造的多孔植入物的制备方法，包括如下步骤：使用增材制造方法制备具有梯度微观结构的多孔植入物模型的高分子聚合物负型模具；将金属粉与粘结剂混合均匀后压制高分子聚合物负型模具中，然后置入有机溶剂中去除高分子聚合物负型模具，得到初步的金属多孔植入物；将其置入真空高温炉中并利用化学气相沉积法在植入物表面沉积金属涂层进一步增强植入物的强度；最后将金属多孔植入物置入电解液中进行阳极氧化处理，得到具有表面纳米结构的定制化金属多孔植入物。该方法将增材制造与粉末冶金技术相结合，解决了孔隙尺寸及分布不可控的问题，且实现了表面结构的纳米化开辟具有宏微纳结构的多孔植入物制备的新途径。

球形Ru-V粉末钎料的制备方法 1097     

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本发明提供了一种球形Ru-V粉末钎料的制备方法，包括以下步骤：一、制备Ru-V合金丝；二、将铜丝焊接于Ru-V合金丝的一端；三、采用超音速电弧喷射雾化技术制粉：将Ru-V合金丝送入超音速电弧喷枪中作为自耗电极，通过电弧放电处理使Ru-V合金丝熔化为Ru-V熔滴，Ru-V熔滴在高压气体的超音速作用下雾化并喷射到水中；四、依次经过过滤和烘干处理，得到球形Ru-V粉末钎料。本发明工艺流程短，生产效率高；本发明采用超音速电弧喷射雾化技术制备的Ru-V粉末钎料为球形结构，粒径均匀，颗粒度小，在母材上的润湿与铺展性能良好，无熔蚀缺陷，熔化后Ru-V钎料的铺展面积大，润湿角小，具有良好的钎焊效果。

提高散热面积的散热装置及其制备方法和应用 1159     

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本发明公开了一种提高散热面积的散热装置及其制备方法和应用，散热装置包括散热片以及穿插在散热片内部的散热水冷管和散热风冷管，散热片表面为连续的凸槽和凹槽，凸槽和凹槽交替等间距设置，凸槽的一侧壁上等间距设置有若干导槽；制备方法包括：S1、散热片制备；S2、散热片整形；S3、散热风冷管安装；S4、散热水冷管安装。本发明的散热装置通过设置有的凸槽和凹槽能够大大增加散热片的表面积，约能够增加30％左右，提高了散热效率，通过散热水冷管和散热风冷管使冷却液和冷气的交替，最大程度地提高冷却散热效率，适合应用到医疗CT球管组件中，提高了CT球管组件射线窗口区域在使用过程中的散热效率，延长了CT球管组件的使用寿命。

高强度蓄热式电锅炉电热元件的制备方法 1070     

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本发明公开了一种高强度蓄热式电锅炉电热元件的制备方法，包括如下步骤：步骤一：将碳纤维丝没入有机溶剂进行浸泡；步骤二：将步骤一所得的碳纤维丝晾干。本发明通过将碳纤维丝经过单股加捻，然后再将多组单股加捻后的碳纤维丝再次合并加捻，然后均匀分布的缠绕于支撑芯体上，再经过烧结制得而成，该电热元件在使用的过程中，由于碳纤维本身的强度高，从而有效的提升了强度，同时多股碳纤维加捻工艺显著的提升了电热效率，从而降低了响应的时间，进而提升了工作的效率，而且多股加捻的丝束之间空隙分布较多且均匀，从而使得电磁波在空隙中不断反射和吸收，从而使得材料的发热率显著提升，进而使得蓄热能力显著增强。

CuSn10Pb10/45#钢双金属的制备方法 1084     

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本发明公开了一种CuSn10Pb10/45#钢双金属的制备方法，具体按照如下步骤进行：步骤1：将45#钢和CuPb10Sn10铜合金加工为具有一定的形状的内部多孔结构；步骤2：将45#钢结构件和CuPb10Sn10铜合金进行预处理；步骤3：对预处理过的45#钢结构件进行热浸镀锡；步骤4：将步骤2中得到的CuPb10Sn10铜合金置于步骤3得到的45#钢结构件中，然后将其进行热压微区扩散成型，得到CuSn10Pb10/45#钢双金属。本发明形成的双金属既综合了铜和钢的优越性能，同时还具有较高的界面强度和剪切强度。

基于EIGA工艺制备增材制造用CuCrNb粉末的方法 1023     

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本发明公开了一种基于EIGA工艺制备增材制造用CuCrNb粉末的方法，包括如下步骤：S1、按照配比对电解Cu粉、Cr粉、Nb粉分别称重；S2、先将Cr粉与Nb粉进行初次球磨混粉，再加入Cu粉并进行二次球磨混粉，得到混合粉末；S3、对混合粉末进行冷等静压，得到CuCrNb合金坯料；S4、烧结脱气后，得到CuCrNb合金电极；S5、对CuCrNb合金电极熔化并雾化制粉；S6、处理备用；本发明制备工艺简单，合金成分易于控制，能够有效提高单次雾化粉体的材料收得率，粉末内析出相均匀且尺寸可达纳米级，能够有效提高3D打印产品质量，适合大量推广。

硼化物改性玻璃陶瓷基复合高温抗氧化涂层及其制备方法 1259     

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本发明公开了一种硼化物改性玻璃陶瓷基复合高温抗氧化涂层，烧制在难熔金属基体表面的复合高温抗氧化涂层由硼化物和硅酸盐玻璃制成；所述硼化物为HfB2、ZrB2和TiB2中的一种或两种以上；另外，本发明还公布了该涂层的制备方法，该方法为：一、对难熔金属基体表面进行处理；二、制备硼化物颗粒改性的玻璃陶瓷复合料浆；三、将料浆预置于难熔金属基体表面得到预置层，经真空高温烧制得到硼化物改性玻璃陶瓷基复合高温抗氧化涂层。本发明的复合高温抗氧化涂层用于难熔金属基体的高温防护，在防护温度为400℃～1600℃的范围内所述复合高温抗氧化涂层连续防护难熔金属基体不小于5h。

难熔金属表面B改性MoSi₂涂层的渗剂及涂层制备方法 1335     

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本发明公开了一种难熔金属表面B改性MoSi₂涂层的渗剂，由以下质量百分数的粉末组成：氧化铝粉5％～65％，硼粉10％～15％，氟化钠粉末1％～8％，余量为硅粉。本发明还公开了利用所述渗剂在难熔金属表面制备B改性MoSi₂涂层方法，该方法为：一、依次对难熔金属表面难熔金属的表面进行打磨、喷砂、脱脂处理和酸洗；二、球磨混合粉末制备渗剂；三通过包埋共渗法在难熔金属表面得到B改性MoSi₂涂层。本发明制备的B改性MoSi₂涂层在涂层/难溶金属基体界面形成了富B相，能够有效降低涂层/基体间的互扩散程度，从而降低涂层的高温退化速率，进而延长涂层的高温服役寿命。

采用成形针织技术制备高气孔率材料的方法 924     

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本发明公开的一种采用成形针织技术制备高气孔率材料的方法，采用成形针织技术，以聚酯长丝为原料，对三维有机模板进行浸渍和涂敷，然后经过二次浸渍并进行高温氧化反应，最后在900℃高真空条件下使金属氧化物分解并在950℃进行烧结，成功的制备了具有高孔隙率、开孔结构的泡沫铜。本发明方法简单易行，所制备的高气孔率泡沫铜综合了低密度、高刚度、冲击吸能性、消音降燥、电磁屏蔽、透气透水、低热导率等性能，并且具有良好的阻尼特性，可以广泛应用于航天、航空、原子能、环保及电化学等行业。

Ti3AlC2 陶瓷粉料的制备方法 1259     

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本发明公开了一种Ti3AlC2陶瓷粉料的制备方法，属于材料科学技术领域。包括以下步骤：按Ti：Al：TiC：Sn：Si=1.0：(1.0～1.3)：2.0：（0.05～0.2）：（0.05～0.15）的摩尔比，分别取Ti、Al和TiC，然后加Sn粉和Si粉，充分混匀，得到混料；2）加入乙醇，充分球磨，得到均匀粉末，干燥；3）将干燥后的混料在真空下，烧结后，冷却，得到Ti3AlC2陶瓷粉料。本发明工艺简单，通过加入球磨助剂提高混料的均匀度；通过加入合成助剂，提高产品纯度，降低其杂质；以TiC粉作为C源，不仅降低合成温度，而且提高产品纯度。

箱式真空、气氛中频感应烧结炉及使用方法 846     

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本发明属于钨钼加工设备领域，特别涉及一种箱式真空、气氛中频感应烧结炉。一种箱式真空、气氛中频感应烧结炉，包括炉壳体、位于所述炉壳体内部的炉芯组件、与所述炉壳体连接的真空系统、水路系统以及气路系统，所述的炉芯组件为长方体箱型结构，长方体箱型结构四周从内向外依次设有发热体、耐火材料、感应线圈，长方体箱型结构顶部设有炉顶盖；所述的真空系统为所述的炉壳体内部提供真空环境，所述的水路系统为所述炉壳体提供冷却水，所述的气路系统为所述炉壳体提供工作气体。本发明通过采用箱式结构炉膛，将被烧结的钨钼板坯制品水平放置在放料底托上，最大限度改善了被烧结材料的弯曲变形，减少钨钼制品的校直校平工序，降低生产成本。

铁钛钼合金及其制备方法 921     

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本发明公开了一种铁钛钼合金及其制备方法，该合金包含以下重量百分数的组分：88wt％～92wt％钛、6wt％钼、2wt％～6wt％铁。本发明的合金，不含Al和V，无任何毒性，能够获得均匀细小的显微组织，且Fe元素容易在钛合金孔隙间扩散，有利于提高合金的强度、韧性和抗磨损性能，比常用的Ti‑Al‑V类合金更好。

固态钽电解电容器及其ALD制备方法 877     

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本发明公开了一种全固态钽电解电容器器件及其ALD制备方法，制备方法包括：使用小电流密度对阳极钽块的Ta2O5介质层进行进一步补形成；使用ALD法在阳极钽块的Ta2O5介质层表面上沉积导电氧化物薄膜；使用导电碳浆、银浆及银丝对沉积的导电阴极层进行阴极电极引出。本发明采用ALD制备导电氧化物阴极薄膜的方法，避免传统液相法中酸性物质及强氧化剂等对Ta2O5介质层带来损害的同时，制备的氧化物阴极材料具有更高的电导率、良好的温宽性、更高的孔隙覆盖率、更强的附着力、大面积的均匀性及优良的致密性等特征，且该沉积过程中无还原性气体及等离子体对Ta2O5介质层产生损害，促进固态钽电解电容器朝小型化、高容量引出率、高频低阻抗及耐高温长寿命的全面发展。

高强度、高塑性的粉末冶金钛合金及其加工方法 1065     

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本发明公开了一种高强度、高塑性的粉末冶金钛合金及其加工方法，属于钛合金领域。本发明的加工方法，采用粉末冶金法制备的锭坯氧含量达到0.35wt％，锭坯中的高氧含量不仅会通过提高合金相变点影响合金锻造温度的设计，更会显著增高合金中α稳定元素含量进而影响合金的力学性能和强韧化机制；高氧锭坯经过三镦三拔开坯锻造、三镦三拔锻造、棒材轧制和退火热处理，获得了一种非均质层状多级第二相组织，使合金具备良好的高强度、高塑性匹配；本发明的高强度、高塑性的粉末冶金钛合金，内部呈非均质层状多级第二相组织，非均质层状细晶组织中的层状结构能增强合金结构强度，层状结构能容纳应变，从而使合金保持高韧性和高塑性。

真空管道过滤装置及控制方法、应用 976     

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本发明属于管道过滤技术领域，公开了一种真空管道过滤装置及控制方法、应用，采用卧式真空缓冲罐结构，卧式真空缓冲罐一端或两端设置有侧开式检修门；卧式真空缓冲罐内部设置有便拆式折叠滤芯；卧式真空缓冲罐上端连通有进气口和排气口，侧开式检修门通过调心式铰链与卧式真空缓冲罐连接，侧开式检修门外侧设置有多个与卧式真空缓冲罐相配合的门锁扣。本发明通过在卧式真空缓冲罐内壁喷涂耐酸涂层，可有效抵抗酸碱腐蚀；通过设置侧开式仓门，仓门采用调心式铰链结构，开启方便并可以有效调整焊接误差，防止仓门关闭不严密。仓门设置翻转式快速锁紧结构，通过内部设置有便拆式折叠滤芯，滤芯设置有防静电结构，可有效防止内部粉尘静电积累，避免粉尘爆燃。

W-Ti合金靶材的制备方法 795     

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本发明公开了一种W-Ti合金靶材的制造方法,该方法以纯度高于99.9%的W粉和纯度高于96.7%的TiH2粉为原料,经过对TiH2粉末的高能球磨,随后与W粉进行混粉;然后在压力为250~280MPa,保压时间为3~6min的条件下进行压坯,再对压胚进行真空无压烧结,然后将烧结后的合金进行固溶退火,随后淬火冷却;最后将W-Ti合金机加工成靶材成品即可。本发明与现有技术相比,工艺方法上烧结温度低,烧结过程中不附加任何压力,且所制备的合金靶材合金组织均匀、致密度高、可控尺寸大。

通过添加超细晶铬相优化铜铬触头的制备方法 1290     

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本发明公开了一种通过添加超细晶铬相优化铜铬触头的制备方法，属于中压真空开关技术领域。主要包括以下步骤：(1)配料；(2)真空感应熔炼；(3)雾化制粉；(4)混粉；(5)压制烧结；(6)机械加工；本发明是在真空感应气雾化的基础上采用混粉烧结工艺制备铜铬合金触头，采用真空感应气雾化制备铜铬合金粉末，从而为触头提供了极为细小的铬相，随后通过添加常规铬粉，采用固相烧结工艺制备满足铬含量要求的铜铬触头，这种触头不仅避免了常规生产方式追求铬颗粒细小引起的气体含量超标，并且铬相的尺寸远小于常规铬粉，极大的优化了触头性能；通过本发明制备的铜铬触头成本低廉、性能优良、适合工业批量生产。

用于3D打印的CuCrZr球形粉末制备方法 958     

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本发明公开了一种用于3D打印的CuCrZr球形粉末制备方法，包括以下步骤：S1、配料：根据需求准备原材料，各原材料按照质量百分比计为：金属铬块0.9‑1.1%，氧化锆粉末0.04‑0.05%，八水合二氯氧化锆0.2‑0.3%，余量为电解铜板；S2、一次真空熔炼；S3、二次超重熔炼；S4、气流研磨制粉；S5、后处理。本发明的CuCrZr球形粉末球形度好，硬度高，材料成分满足要求，可以满足SLM 3D打印的各项需求，使打印的合金材料致密度高，组织均匀，有利于进一步推广应用。

细晶钨钛合金的制备方法 1175     

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本发明公开了一种细晶钨钛合金的制备方法，将钨粉高能球磨后加入氢化钛粉末混合均匀，然后压制成生坯，经过真空低温烧结后热挤压淬火，即得。本发明方法避免高温烧结导致球磨效应损失、晶粒长大的弊端，获得的钨钛合金晶粒细小、致密度高且富钛相细小均匀，所占面积小，为细晶钨钛合金提供了一种新方法。

采用冷等静压和液相烧结制备W-10Ti合金靶材的方法 1029     

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本发明公开了一种采用冷等静压和液相烧结制备W-10Ti合金靶材的方法,该方法以纯度高于99.9%的W粉和纯度高于96.7%的TiH2粉为原料,先对纳米级W粉与微米级W粉的级配,将级配后的W粉与TiH2粉进行混粉;然后在压力为210-260MPa,保压时间为3-6min的条件下进行压坯,再对压坯进行真空无压烧结,最后将W-Ti合金机加工成靶材成品即可。本发明与现有技术相比,采取液相烧结,烧结过程中不附加任何压力,具有可控尺寸大的优点且所制备的合金靶材形成了相对单一的富钨固溶体相、致密度较高。

可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台 1090     

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本发明公开了一种可用于极高温度下的碳化硅器件动态特性测试平台，包括PCB基板及镀银的氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板上设置有金属化DC+区域、金属化AC区域、金属化栅极区域及金属化开尔文源极区域，其中，金属化DC+区域上设置有待测SiC MOSFET及待测SiC肖特基二极管，其中，待测SiC MOSFET的栅极与金属化栅极区域相连接；将待测SiC MOSFET的源极与金属化开尔文源极区域相连接，待测SiC肖特基二极管的源极及待测SiC MOSFET的电源与金属化AC区域相连接，该平台能够将SiC器件的动态特性研究扩展至更宽的温度范围。

难熔金属表面Zr改性硅化物涂层及其制备方法 1167     

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本发明公开了一种难熔金属表面Zr改性硅化物涂层，由Ti、W、Cr、Zr、Nb和Si组成。本发明还公开了该涂层的制备方法，该方法为：一、对难熔金属打磨、喷砂、脱脂和酸洗；二、制备复合悬浮料浆；三、将料浆预置于难熔金属表面得到预置层，然后进行高温熔烧，制备得到Zr改性硅化物涂层。本发明Zr改性硅化物涂层与难熔金属基体相容性好，适用于Nb、Nb合金、W、W合金、Ta、Ta合金、Mo或Mo合金，该涂层的厚度可控，涂层与基体实现冶金结合，可在异形热端部件的表面以及部件内表面实现涂覆，制备得到的涂层可在1100℃～1500℃氧化条件下为难熔金属材料提供不少于200h的防护或在烧蚀环境中提供短时防护。

核电池透气窗用多孔铱透气片的制备方法 1045     

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一种核电池透气窗用多孔铱透气片的制备方法，将确定的合理的粉体粒度和孔隙率与压力烧结法结合，制备出具有极小透气率的多孔铱透气片。本发明适于制备满足极小透气率要求的多孔铱透气片，所得到的多铱铂透气片的孔隙率为24.96％～27.24％，以保证多孔金属内部孔隙具有较好的连通性，同时又能有效控制闭孔、盲孔的数目。得到的多孔铱透气片实现了极小透气率，并能够有效的使金属颗粒紧密连接，基本消除粉体团簇现象，且使多孔铱透气片在具有良好透气性能的同时兼具较高的强度。

Β-SIC纳米线的合成方法 938     

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一种合成Β-SIC纳米线的方法,采用硅藻土与硅粉在高温下反应生成的SIO为硅源,以生物活性炭薄片作为碳源,在1200～1400℃的温度范围内通过碳热还原反应在生物活性炭薄片表面形成Β-SIC纳米线。本发明采用薄片生物活性炭可以通过竹材、木材等天然可再生植物碳化后制得,原材料来源广泛,成本低廉。生物活性炭比表面积高,表面活性大,在相对较低的温度下即可与SIO发生反应形成Β-SIC纳米线。生物活性炭中天然存在的金属离子可以作为催化剂促进Β-SIC纳米线的生长。采用薄片生物活性炭可以避免颗粒状SIC的形成,为高纯度Β-SIC纳米线的制备提供了有利条件。

碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 1208     

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本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法,其特征在于,按重量百分数,包括下述组分:碳化硅粉末30%～45%、碳粉粉末5%～10%、硅粉35%～50%以及粘接剂酚醛树脂3%～12%。先将碳化硅粉末、碳粉以及硅粉粉末球磨湿混,得到混合粉末,加入粘接剂酚醛树脂造粒,模压成型,然后将成型生坯烘干后,放入空气炉中排胶。排胶完成后将其按照反应烧结工艺烧结,将反应烧结得到的制品在2000℃以上的高温下进行再结晶处理及排硅,得到单一物相的多孔碳化硅材料。本发明制备的多孔碳化硅材料具有孔隙度可控、强度高,耐腐蚀性和热稳定性好的特点,可广泛用作高温气氛及腐蚀性气氛下的过滤材料,也可以用作化学反应的载体材料以及高温隔热。

利用钨粉制造电子束焊接铜钨触片的方法 1216     

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本发明公开了一种利用钨粉制造电子束焊接铜钨触片的方法，包括S1混粉、S2成型、S3烧制骨架、S4烧结、S5配铣、S6电子束焊接，本发明改变了传统的生产方式，只在铜钨合金端烧结焊接所需铜层，减小铜钨合金端尺寸规格，提高装炉量，使用电子束焊接方式连接基体与铜钨合金，焊接毛坯外形规整，后期加工效率大幅提升，且解决了在烧结过程中由于铬元素的析出会对烧结结合面强度产生影响的问题，硬度、电导率等均满足使用要求。

利用真空自耗电弧熔炼制备CuCr触头材料的方法 900     

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本发明涉及一种利用真空自耗电弧熔炼制备CuCr触头材料的方法，选取合格的Cu粉和Cr粉按照比例进行混合，利用冷等静压压制成棒料，经烧结后进行自耗熔炼成合金铸锭。在高温电弧的作用之下，自耗电极快速均匀的发生层状消熔并滴到水冷结晶器底部，配合结晶器外围快速的冷却速率实现CuCr(25％‑40％)合金铸锭的凝固，故得到均匀细小的CuCr合金组织。本发明是利用真空自耗电弧熔炼法制备Cr含量在25％‑40％(wt)的CuCr电触头材料，材料无气孔、疏松、夹杂、无Cu、Cr富集等宏观微观缺陷，并且Cu、Cr显微组织结构小于30um。