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工作原理
UFM-2000采用电磁与永磁体结合的双聚焦离子枪技术，通过氩离子束轰击样品上下表面，利用动量交换原理实现原子级材料去除。高电压模式下（最高10keV）离子束散开以扩大薄区面积，低电压模式下（0.1keV起）离子束汇聚提升精修效率，确保样品均匀减薄至纳米级厚度。设备配备无油分子泵真空系统，15分钟内可达5×10⁻⁶ Torr工作真空，避免污染；可选配液氮冷台（-160℃），抑制离子束加工产生的热效应，防止温度敏感材料（如高分子、生物组织）发生相变或缺陷迁移。
应用范围
该设备广泛应用于材料科学领域：在半导体行业，可制备芯片横截面样品，分析晶格结构与键合线形貌；锂电池领域支持电极材料颗粒分布观测及隔膜孔隙结构表征；地质科学中用于岩石矿物定向切片制备；金属材料分析可实现双枪高能量模式快速制备大面积薄区，低能量模式减少晶格破坏。
技术参数
离子束参数：能量0-10keV连续可调，束流密度最高10 mA/cm²
减薄角度：-10°至+10°可调，精度0.1°
样品台：支持X/Y移动及360°旋转，配备千分尺精确控制X/Y方向定点减薄
加工效率：硅材料在10keV电压下最大减薄速率达300μm/h
扩展功能：兼容真空转移装置，实现无污染制样
产品特点
双聚焦离子枪：永磁体与电磁聚焦结合，离子枪无耗材，降低使用成本
智能操作：10英寸全触屏支持配方式操作，实时监控减薄过程
高兼容性：适配Φ3mm标准样品，满足TEM、EBSD、AFM等多技术制样需求
低温保护：液氮冷台选项消除热损伤，保障温度敏感材料微观结构完整性
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