6/8英寸 碳化硅SiC长晶设备
PVT碳化硅晶体生长工艺主要通过设置合适的长晶温度以及长晶气压，在此温度以及气压下SiC发生明显的分解与升华，产生Si和SiC蒸气压，在高温炉内形成的温度梯度作用下向低温方向输送并凝聚在顶部和底部较低温度处，形成SiC晶体.
Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。
应用：
高功率IGBT
智能逆变器
射频器件
5G通讯
风力发电
高动力系统
核能
真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa，升压率≤3Pa/12h，保证晶体生长的稳定性
．智能化生长及监测系统，实现多种制程精确定制，工艺优化，长晶全过程实时监控，数据可视化存档
．新型感应加热线圈设计，有效提高热场加热的均匀性和稳定性
．业内首创的PIM自检系统，有效减免制程时间浪费
．稳定可靠的水冷系统，实现了水道管路温度、流量的实时监控，保证了生长室温场的稳定性
．可生产6英寸P级碳化硅衬底，微管缺陷密度＜0.5个／cm2，电阻率达0.015-0.0280
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